질화 갈륨 (GAN)은 특수 특성을 갖는 결정과 같은 반도체 물질입니다. 이 화합물은 wurtzite 결정 구조를 갖는 매우 단단한 물질입니다. GAN은 다이오드 및 트랜지스터와 같은 반도체 장치를 만드는 데 사용될 수 있습니다. Gan은 1990 년대 LED로 시작하여 수십 년 동안 전자 제품에서 사용되어 왔으며, 이곳에서 TV와 컴퓨터 디스플레이에 빛을 발산하는 데 사용되었습니다. 이제 Gan은 트랜지스터로 들어가서 업계에서 가장 좋아하는 반도체 자료 인 Silicon을 대체하고 있습니다. 전통적으로 반도체 생산에 사용되는 가장 일반적인 재료는 풍부함과 경제성으로 인해 실리콘 (SI)입니다. 그러나 반도체 제조업체는 다른 많은 재료를 사용할 수 있습니다. 또한 대부분의 사람들은 실리콘 카바이드 (SIC), 갈륨 비 세나이드 (GAAS) 및 질화 갈륨 (GAN)과 같은 추가 혜택을 제공합니다. 이러한 잠재적 인 물질 중에서도 질화 갈륨이 널리 인정되고 선호됩니다.
트랜지스터 란 무엇이며 간이가 더 나은 이유는 무엇입니까?
트랜지스터는 매우 빠르게 열리고 닫는 작은 전자 스위치이며, Gan은 트랜지스터에 사용될 때 실리콘보다 몇 가지 장점이 있습니다. GAN 트랜지스터는 실리콘 트랜지스터보다 작을뿐만 아니라 더 많은 전력을 전달하고 더 빠르게 전환 할 수 있으며 훨씬 더 효율적입니다. 실리콘 트랜지스터는 약 87%의 전력 효율을 가지지 만 GAN 트랜지스터는이 효율을 95%이상으로 향상시킵니다. 그들은 더 효율적이기 때문에 간 트랜지스터는 사용 된 기술의 에너지 및 운영 비용을 줄입니다 . 열전도율이 좋기 때문에 더 오랜 기간 동안 전원을 공급할 때 에너지가 적습니다 . 간 트랜지스터는 또한 훨씬 높은 온도에서 작동하고 다른 트랜지스터보다 훨씬 높은 전압에서 작동 할 수 있으며, 전자 레인지 주파수에서 이상적인 전력 증폭기를 만듭니다. 그들은 더 작은 전체 크기로 더 많은 전력을 생성하며 실패에 대한 성향이 훨씬 낮습니다.
GAN 기술은 무엇에 사용됩니까?
고전력 밀도 및 전압 파괴 한계에 대한 Du e는 또한 5G 셀룰러베이스 스테이션 응용 분야의 유망한 후보로 부상하고있다. 2020 년대 초부터 Gan 전력 트랜지스터는 전자 장비의 전원 공급 장치에서의 사용이 증가하여 AC 주 전기를 저전압 DC로 변환했습니다. GAN 기술의 개발로 스위치 모드 전원 공급 장치, 충전기 및 전력 어댑터에 점점 더 많이 사용됩니다 . GAN 충전기는 전력을 전기로 변환하는 데 실리콘 기반 충전기보다 약 3 배나 효율적이며 훨씬 작고 휴대가 가능합니다.
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